Висококачествен силициев карбид/шмиргел

Процесен поток на силициев карбид: Среда с ултрависока температура: Нагряване до повече от 2500 градуса чрез плазма или дъга за постигане на мигновена реакция. Бърз синтез: Времето за реакция се съкращава до няколко часа и директно се генерира SiC с висока чистота.

Предимства: Продуктът има висока чистота (>99,9%) и отлична кристална структура.

Няма междинни продукти, които да са подходящи за получаването на SiC в наномащаб. Недостатъци: Скъпо оборудване и изключително висока консумация на енергия. Технологията е трудна и трудно приложима в голям мащаб. Приложение: Области от висок клас като полупроводници и оптични покрития. Други процеси: Химично отлагане на пари (CVD): използва се за тънък слой или монокристален SiC, цената е изключително висока. Сол-гел метод: подходящ за малки партиди нано-SiC в лабораторията и индустриализацията е трудна.

A: Купувачът изпраща запитване → получете оферта за силициев карбид → потвърждение на поръчка → Купувачът организира 30% депозит → Производството започва при получаване на депозит → Стриктна проверка по време на производството → Купувачът организира балансово плащане → Опаковка → Доставка според търговските условия

Популярни тагове: висококачествен силициев карбид/шмиргел, Китай висококачествен силициев карбид/шмиргел производители, доставчици, фабрика