Процес на производство на монокристален силициев карбид
Силициевият карбид (SiC) е важен полупроводников материал с отлични термодинамични и електрически свойства. Той се използва широко в силови електронни устройства, оптоелектронни устройства, сензори и други области. Монокристалът от силициев карбид е една от най-широко използваните форми на материали от силициев карбид. Процесът на приготвяне е сравнително сложен, включващ главно подготовка на суровината, растеж на кристали и обработка на вафли.
Силициевият карбид монокристален материал използва главно прах с висока степен на чистота Si като суровина за отглеждане на монокристали чрез термодинамични методи. Първо, необходимо е да изберете подходящ прах от силициев карбид като суровина. Чистотата и размерът на частиците на праха имат важно влияние върху качеството на крайния кристал. Като цяло се избира прах от силициев карбид с висока чистота с диаметър на праха в диапазона 1-5um и се загрява предварително, за да се отстранят примесите по повърхността на праха. В същото време е необходимо също да се подготви подходящо количество разтворител и флюс, за да се насърчи растежа на кристалите от силициев карбид.
Описание на продуктите
|
Име на продукта |
Силициев карбид |
| Линейна експанзивност |
1.5-2 |
| твърдост | Конвенционален абразив |
| Спецификация | По желание на клиента |

Лого и пратка
В: Мога ли да имам собствено ЛОГО на продукта?
Да, можете да ни изпратите вашия дизайн и ние можем да направим вашето ЛОГО.
В: Можете ли да организирате пратката?
Разбира се, имаме постоянен спедитор, който може да спечели най-добрата цена от повечето корабни компании и да предложи професионално обслужване.
Популярни тагове: силициев карбид sic прах, Китай силициев карбид sic прах производители, доставчици, фабрика

